Procédés de fabrication Intel® Vous gardez une longueur d'avance

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Innovation en matière de puces

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Les procédés de fabrication d'Intel au service des performances et du rendement énergétique

Pour vous permettre de proposer des solutions souples, ultraperformantes et faiblement consommatrices d'énergie, Intel fabrique en grande série des processeurs rassemblant plus de transistors que tout autre fondeur.

Avancées et avantages

Avancez…
Avec son procédé de gravure en 65 nm, Intel a une année d'avance. Profitez-en pour avancer vous aussi.

Procédé de gravure en 65 nm 
La gravure en 65 nm d'Intel atteint le point de basculement 
La loi de Moore 
Passage du 90 au 65 nm   [PDF de 3 Mo]

Accélérez…
Conservez votre avance sur vos concurrents grâce au rythme programmé des progrès d'Intel pour la gravure. Le 45 nm entrera en production en 2007 comme prévu.

Gravure en 45 nm 
Dossier : Rythme de renouvellement de la microarchitecture  [PDF de 109 Ko]
A l'avant-garde du rendement énergétique  [PDF de 272 Ko]

Anticipez…
Découvrez en quoi les recherches d'Intel sur les semi-conducteurs lui permettent de suivre la loi de Moore et, ce faisant, de parvenir à des percées dans les domaines des matériaux, des structures, des puces, des transistors, de l'automatisation et de la production.

Recherches sur les semi-conducteurs 
Diélectrique de portes métallique à forte permittivité 
Transistors 3-D et III-V 

  • Laser silicium hybride
      Laser silicium hybride
      Les chercheurs d’Intel et de l’Université de Californie à Santa Barbara ont mis au point un laser silicium hybride qui constitue un nouveau jalon vers des interconnexions optiques pour la téra-informatique.

      Suite › 
    Premiers transistors Intel® tri-portes
      Production
      Les chercheurs d'Intel ont mis au point des transistors CMOS tri-portes (3D) qui sont les premiers à faire usage d'un diélectrique de portes à forte permittivité et de silicium étiré pour parvenir à des courants d'attaque et à un rendement électrique record.

      Suite › 

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