Paris, 17 novembre 2005 - Intel Corporation annonce la livraison de la première mémoire flash NOR multiniveau (Multi-Level Cell, MLC) gravée en 90 nanomètres. Fabriquée en grande série, la nouvelle mémoire cellulaire Intel StrataFlash® M18 est plus rapide, plus compacte et consomme moins d'énergie que la version précédente, gravée en 130 nm. Elle vient ainsi répondre à la demande faite par le marché pour le lancement de téléphones mobiles toujours plus riches en fonctionnalités, dotés d'un appareil photo, d'un écran couleur ainsi que de capacités de navigation Web et de lecture vidéo.
Darin Billerbeck, Vice President d'Intel et General Manager du Flash Products Group d'Intel déclare : " La mémoire flash est l'une des principales technologies qui est à l'origine des applications de téléphonie mobile de nouvelle génération. La M18 procure aux ingénieurs d'études l'alliance de performances, de compacité et de rendement électrique qu'exigent les appareils actuels. Elle applique en effet la cinquième génération des technologies MLC, fiables et économiques, ainsi que le procédé de photolithographie en 90 nm. "
La mémoire cellulaire Intel StrataFlash M18 affiche les vitesses de lecture les plus élevées du secteur, ce qui lui permet de fonctionner à la même fréquence de bus que les jeux de composants (chipsets) cellulaires de nouvelle génération, c'est-à-dire jusqu'à 133 MHz. Le traitement applicatif s'en trouve accéléré par rapport à la version gravée en 130 nm, car les échanges entre le jeu de composants et la mémoire sont plus rapides. Avec des débits allant jusqu'à 0,5 Mo/s en écriture, cette mémoire prend en charge les appareils photo d'une résolution de 3 mégapixels et la vidéo MPEG4. Elle fait également bénéficier les constructeurs OEM de coûts de production en baisse, qui résultent de délais de programmation usine jusqu'à trois fois plus courts que pour les versions précédentes en 130 nm. Par rapport aux produits de génération précédente, elle ne consomme, en programmation, qu'un tiers de l'énergie nécessaire et moitié moins que ceux-ci à l'effacement. Elle se caractérise aussi par un mode veille (Deep Power Down) pensé dans une optique d'allongement de l'autonomie. Déclinée en solutions monopuces de 256 ou 512 Mo ou bien en boîtiers à puces empilées d'une capacité allant jusqu'à 1 Go, elle fait baisser le rapport capacité/encombrement des mémoires flash NOR. Située à la pointe de la technique, les structures standards à superposition d'Intel associent les mémoires NOR et RAM et se déclinent en plusieurs architectures de bus. Elles raccourcissent les délais de commercialisation pour les constructeurs OEM et assouplissent la gestion de leur chaîne logistique.
Intel intervient à tous les niveaux de l'écosystème de la téléphonie mobile pour aider ses clients à réduire leurs délais d'intégration, à augmenter les performances et à optimiser les plates-formes de référence. Darin Billerbeck a ainsi précisé qu'Intel avait travaillé avec des fabricants de chipsets cellulaires reconnus, dont ADI, Philips, Infineon et MediaTek, ainsi qu'avec des éditeurs de systèmes d'exploitation comme Symbian et MontaVista afin que leurs produits soient prêts pour la famille des puces M18 gravées en 90 nm. Intel a ainsi conclu des contrats d'intermédiation (design wins) avec huit constructeurs OEM spécialisés dans la téléphonie mobile, parmi lesquels NEC et Sony Ericsson.
Peter Carlsson, Vice President de Sony Ericsson et responsable du sourçage déclare : " Les performances, la compacité et la valeur de la mémoire cellulaire Intel Strataflash M18 en font un module qui est parfaitement adapté aux téléphones de Sony Ericsson et à leur vaste éventail de fonctionnalités. "
Afin d'aider les ingénieurs d'études à accélérer l'intégration et la commercialisation de nouveaux appareils, Intel leur propose son logiciel (sans redevance) Intel® FDI (Flash Data Integrator) version 7.1. Cette version de nouvelle génération procure une architecture ouverte qui simplifie l'intégration d'un système de fichiers flash aux systèmes d'exploitation en temps réel. Elle s'assortit de trois fonctionnalités nouvelles : connectivité USB (USB Mountable), prise en charge multivolume et mémoire tampon RAM.
